عنوان کامل پایان نامه : کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

تکه هایی از این پایان نامه :

تأخیر نوشتن در سلول

با در نظر داشتن توضیحاتی که پیش از این ارائه گردید فرایند نوشتن در سلول جدید از طریق خط داده انجام     می­گیرد بدین شکل که داده­ای که روی خط داده قرار گرفته با فرایند فعال سازی ترانزیستور دستیابی که این کار توسط خطword line  انجام می­گیرد از خط داده به گرهST  انتقال می­یابد حال در صورتی که داده ای که می­خواهیم در سلول بارگذاری کنیم با داده موجود در سلول متفاوت باشد یک فرایند تغییر داده بایستی در سلول اتفاق افتد که مدت زمانی که این فرایند تغییر داده در سلول اتفاق می­افتد را به عنوان تاخییر نوشتن در سلول در نظر می­گیریم (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12).

در حالتی که داده 1 در سلول ذخیره شده باشد ولتاژ گره ST در حالت بالا و نزدیک بهVDD  قرار دارد پس در صورتی که بخواهد به مقدار 0 تغییر کند بایستی از سطح ولتاژVDD  به سطح ولتاژ آستانه معکوس کننده موجود در سلول تغییر مقدار دهد و برعکس در حالتی که داده 0 در سلول ذخیره شده باشد برای اینکه سلول تغییر حالت دهد ولتاژ گرهST  بایستی از سطح ولتاژ زمین به سطح ولتاژ آستانه معکوس کننده تغییر کند (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12).

با در نظر داشتن تعاریفی که دربالا ذکر گردید تاخیر سلول را بدین شکل می­توانیم تعریف کنیم که مدت زمانی که طول می­کشد تا ولتاژ گره ST از سطح زمین یا VDD به سطح ولتاژ آستانه معکوس کننده برسد را به عنوان تاخییر نوشتن در سلول در نظر می­گیریم. بین دو حالتی که برای تاخیر نوشتن داده در سلول در نظر گرفته گردید در حالتی که که داده 1 در سلول قرار دارد و گره ST بایستی از سطح ولتاژ VDD به سطح ولتاژ آستانه معکوس کننده برسد حالتی می باشد که به عنوان بدترین حالت تاخیر درنظر گرفته می­گردد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید: