عنوان کامل پایان نامه : کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی
تکه هایی از این پایان نامه :
تأخیر نوشتن در سلول
با در نظر داشتن توضیحاتی که پیش از این ارائه گردید فرایند نوشتن در سلول جدید از طریق خط داده انجام میگیرد بدین شکل که دادهای که روی خط داده قرار گرفته با فرایند فعال سازی ترانزیستور دستیابی که این کار توسط خطword line انجام میگیرد از خط داده به گرهST انتقال مییابد حال در صورتی که داده ای که میخواهیم در سلول بارگذاری کنیم با داده موجود در سلول متفاوت باشد یک فرایند تغییر داده بایستی در سلول اتفاق افتد که مدت زمانی که این فرایند تغییر داده در سلول اتفاق میافتد را به عنوان تاخییر نوشتن در سلول در نظر میگیریم (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12).
در حالتی که داده 1 در سلول ذخیره شده باشد ولتاژ گره ST در حالت بالا و نزدیک بهVDD قرار دارد پس در صورتی که بخواهد به مقدار 0 تغییر کند بایستی از سطح ولتاژVDD به سطح ولتاژ آستانه معکوس کننده موجود در سلول تغییر مقدار دهد و برعکس در حالتی که داده 0 در سلول ذخیره شده باشد برای اینکه سلول تغییر حالت دهد ولتاژ گرهST بایستی از سطح ولتاژ زمین به سطح ولتاژ آستانه معکوس کننده تغییر کند (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12).
با در نظر داشتن تعاریفی که دربالا ذکر گردید تاخیر سلول را بدین شکل میتوانیم تعریف کنیم که مدت زمانی که طول میکشد تا ولتاژ گره ST از سطح زمین یا VDD به سطح ولتاژ آستانه معکوس کننده برسد را به عنوان تاخییر نوشتن در سلول در نظر میگیریم. بین دو حالتی که برای تاخیر نوشتن داده در سلول در نظر گرفته گردید در حالتی که که داده 1 در سلول قرار دارد و گره ST بایستی از سطح ولتاژ VDD به سطح ولتاژ آستانه معکوس کننده برسد حالتی می باشد که به عنوان بدترین حالت تاخیر درنظر گرفته میگردد.