تکه هایی از این پایان نامه :

تاخیر خواندن داده از سلول

در سلول جدیدی که ارائه شده می باشد همانطور که پیش از این نیز تبیین داده گردید آغاز داده بایستی از گره ST به خط داده که در شکل با نامbite line  مشخص شده می باشد انتقال یابد برای انجام این فرایند آغاز bite line  به زمین دشارژ شده سپس در حالت امپدانس بالا رها می گردد پس از آن ترانزیستور شماره 5 که به نام ترانزیستور قطع کننده معرفی گردید توسط خط کنترلیRead  با اعمال ولتاژ سطح بالا با در نظر داشتن این که ترانزیستور دستیابی از نوع PMOS می باشد سبب خاموش شدن این ترانزیستور می گردد با اعمال ولتاژ سطح بالا به ترانزیستور دستیابی که این کار توسط خط کنترلیWord line  انجام می­گیرد پس از آن           داده­ای که روی گره ST قرار داشته به روی خط داده منتقل می­گردد در صورتی که داده ای که روی خط داده بارگذاری می­گردد مقدار0 باشد بر روی ولتاژ Bite line  هیچ تغییری اتفاق نمی­افتد اما در صورتی که داده­ای که روی Bite line  بارگذاری می­گردد مقدار 1 باشد خط داده شارژ می­گردد که این تغییرات روی ولتاژ خط داده توسط یک تقویت کننده به داده 0 و یا 1 منطقی بسته به داده خوانده شده از گره ST تبدیل می­گردد (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12). مدار معادل خواندن داده از سلول جدید را می­توانیم در ادامه نظاره کنیم.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word